迪士尼彩乐园ⅠⅠ 深圳市中科半导体央求一种包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓Wafer过火制备步履和诳骗专利，进步硅衬底氮化镓材料的大失配应力调控、无裂纹厚度与材料结晶...
发布日期：2025-01-10 07:53 点击次数：139金融界2025年1月8日音问迪士尼彩乐园ⅠⅠ，国度常识产权局信息披露，深圳市中科半导体科技有限公司央求一项名为“一种包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓Wafer过火制备步履和诳骗”的专利，公开号CN 119252731 A，央求日历为2024年8月。
专利撮要披露，本发明公开了一种包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓Wafer过火制备步履和诳骗，触及半导体材料时刻界限。该包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓Wafer由硅衬底、氮化铝非晶薄膜抵拒层、超薄多孔氧化铝弱键合解耦合层、氮化铝单晶薄膜成核层模板层及氮化镓单晶薄膜质料进步层按次访佛组成。本发明通过超薄多孔氧化铝弱键合解耦合层中的孔隙大小和孔隙密度调控，从而竣事其上氮化铝单晶薄膜成核层模板层的弱键合解耦合效劳调控，进而竣事硅衬底氮化镓材料的大失配应力调控、无裂纹厚度与材料结晶质料及材料制备效劳进步。本发明的包含大失配应力调控结构的硅衬底氮化镓Wafer不错诳骗于研制坐褥氮化镓基功率电子器件、微波射频器件及光电子器件。
天眼查贵寓披露，深圳市中科半导体科技有限公司，迪士尼彩乐园ⅠⅠ树立于2021年，位于深圳市，是一家以从事专科时刻管事业为主的企业。企业注册成本2109.55万东说念主民币，实缴成本615.45万东说念主民币。通过天眼查大数据分析，深圳市中科半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，专利信息2条，此外企业还领有行政许可5个。
本文源自：金融界
作家：谍报员
援引之前ESPN等媒体的报道，巴特勒显然不想加入一支重建中的球队，而重建球队也不太可能为了未来而接手他。但竞争激烈的争冠球队如果引入巴特勒则需要大幅调整现有阵容。
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